-
1 Basisspannung
напряжение на базе фототранзистора
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора.
Обозначение
Uэб
Uкб
UBE
UBC
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
104. Напряжение на базе фототранзистора
D. Basisspannung
E. Base voltage
F. Tension de base
Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора
UBC
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Basisspannung
-
2 Vergleichsspannung
предельное напряжение
-
[IEV number 314-04-10]EN
compliance voltage
for variable output load transducers having a current output, the value of the output voltage up to which the transducer meets its accuracy specification
[IEV number 314-04-10]FR
tension disponible
pour les transducteurs à charge de sortie variable dont la grandeur de sortie est un courant, valeur de la tension de sortie jusqu’à laquelle le transducteur satisfait sa spécification d’exactitude
[IEV number 314-04-10]Тематики
- измерение электр. величин в целом
EN
DE
FR
эталонное напряжение
опорное напряжение
Стабильное напряжение, с которым сравнивается машинная переменная.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 84. Аналоговая вычислительная техника. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1972 г.]Тематики
- аналоговая и аналого-цифровая выч.техн.
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Vergleichsspannung
-
3 Bezugsspannung
эталонное напряжение
опорное напряжение
Стабильное напряжение, с которым сравнивается машинная переменная.
[Сборник рекомендуемых терминов. Выпуск 84. Аналоговая вычислительная техника. Академия наук СССР. Комитет научно-технической терминологии. 1972 г.]Тематики
- аналоговая и аналого-цифровая выч.техн.
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Bezugsspannung
-
4 maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ max
UСB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum collector-base (d.c.) voltage
DE
FR
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
D. Maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
E. Maximum collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base maximale
UКБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Kollektor-Basic-Gleichspannung
-
5 maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
-
6 Kollektor-Basis-Spannung
постоянное напряжение коллектор-база
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы.
Обозначение
UКБ
UCB
Примечание
При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, UКБО, UCBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- collector-base (d.с.) voltage
DE
FR
58. Постоянное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Spannung
E. Collector-base (d.c.) voltage
F. Tension continue collecteur-base
U2КБ
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Spannung
-
7 Emitter-Basis-Spannung
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Spannung
-
8 Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
пробивное напряжение коллектор-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UКБОпроб
U(BR)CBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
12. Пробивное напряжение коллектор-база
D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown collector-base voltage
F. Tension de claquage collecteur-base
UКБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Durchbruchspannung
-
9 Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uкпр к
UBR CBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage collecteur-base de
phototransistor
Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors
-
10 Emitter-Basis-Durchbruchspannung
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruchspannung
-
11 Basis-Emitter-Sättigungsspannung
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Basis-Emitter-Sättigungsspannung
-
12 Anzapfungsfaktor
коэффициент ответвления (соответствующий конкретному ответвлению)
Отношение Uотв/Uном (коэффициент ответвления) либо 100 Uотв/Uном ((коэффициент ответвления, выраженный в процентах), где
Uном — номинальное напряжение обмотки, В (см. 3.4.3), a
Uотв — напряжение, возникающее при холостом ходе между выводами обмотки, присоединенной к данному ответвлению, при приложении номинального напряжения к обмотке без ответвлений, В.
Примечание — Это определение не распространяется на последовательную обмотку линейного регулировочного трансформатора (см. 3.1.3), для которого коэффициент ответвления, выраженный в процентах, относится к напряжению обмотки возбуждения или обмотки сетевого трансформатора, связанного с линейным регулировочным трансформатором
(МЭС 421-05-03).
[ ГОСТ 30830-2002]EN
tapping factor
the ratio Ud/ UN (tapping factor) or 100 Ud/ UN (tapping factor expressed as a percentage)
where:
UN is the rated voltage of the winding
Ud is the voltage which would be developed at no-load at the terminals of the winding, connected on the tapping concerned, by applying rated voltage to an untapped winding
NOTE – The tapping factor expresses the relative value of the "effective number of turns" of the tapped winding at the relevant tapping, the basis 1 being the effective number of turns of this winding at the principal tapping
[IEV number 421-05-03]FR
facteur de prise
rapport Ud/ UN (facteur de prise) ou 100 Ud/ UN (facteur de prise exprimé sous la forme d'un pourcentage)
où:
UN est la tension assignée de l'enroulement,
Ud est la tension qui serait développée aux bornes de l'enroulement, connecté sur la prise considérée, en fonctionnement à vide, en appliquant à un enroulement sans prise sa tension assignée
NOTE – Le facteur de prise exprime la valeur relative du "nombre effectif de spires" de l'enroulement à prises pour la prise considérée, la base 1 étant le nombre effectif de spires de cet enroulement pour la prise principale.
[IEV number 421-05-03]Тематики
Классификация
>>>EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Anzapfungsfaktor
-
13 Stützenisolator
опорный изолятор
Изолятор, используемый в качестве жесткой опоры для электротехнического устройства или отдельных его частей.
[ ГОСТ 27744-88]
опорный изолятор
Предназначен для изоляции и крепления токоведущих частей в электрических аппаратах, распределительных устройствах электрических станций и подстанций, комплектных распределительных устройствах, токопроводах переменного тока.EN
post insulator
insulator intended to give rigid support to a live part which is to be insulated from earth or from another live part
NOTE 1 – A post insulator may be an assembly of a number of post insulator units.
NOTE 2 – Post insulators for substations are also known as station post insulators.
[IEV number 471-04-01]FR
support isolant
isolateur servant à la fixation rigide d’une pièce sous tension qui doit être isolée de la terre ou d’une autre pièce sous tension
NOTE 1 – Un support isolant peut être un assemblage d’éléments de support isolant.
NOTE 2 – Cette Note ne s’applique qu’au texte anglais.
[IEV number 471-04-01]Тематики
Классификация
>>>EN
- base insulator
- insulator unit
- pedestal insulator
- post insulator
- post-type insulator
- rigid insulator
- standoff insulator
- support insulator
- supporting insulator
DE
- Stützenisolator
- Stützisolator, m
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Stützenisolator
-
14 Stützisolator, m
опорный изолятор
Изолятор, используемый в качестве жесткой опоры для электротехнического устройства или отдельных его частей.
[ ГОСТ 27744-88]
опорный изолятор
Предназначен для изоляции и крепления токоведущих частей в электрических аппаратах, распределительных устройствах электрических станций и подстанций, комплектных распределительных устройствах, токопроводах переменного тока.EN
post insulator
insulator intended to give rigid support to a live part which is to be insulated from earth or from another live part
NOTE 1 – A post insulator may be an assembly of a number of post insulator units.
NOTE 2 – Post insulators for substations are also known as station post insulators.
[IEV number 471-04-01]FR
support isolant
isolateur servant à la fixation rigide d’une pièce sous tension qui doit être isolée de la terre ou d’une autre pièce sous tension
NOTE 1 – Un support isolant peut être un assemblage d’éléments de support isolant.
NOTE 2 – Cette Note ne s’applique qu’au texte anglais.
[IEV number 471-04-01]Тематики
Классификация
>>>EN
- base insulator
- insulator unit
- pedestal insulator
- post insulator
- post-type insulator
- rigid insulator
- standoff insulator
- support insulator
- supporting insulator
DE
- Stützenisolator
- Stützisolator, m
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Stützisolator, m
-
15 maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung
максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
-
Обозначение
UКБ,и max
UСBM max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximal zulässige Kollektor-Basis-Impulsspannung
-
16 Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
-
17 Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
-
18 puissance assignée
номинальная мощность Sном
Полная мощность, определяющая вместе с номинальным напряжением номинальный ток обмотки.
Примечания
1 В двухобмоточном трансформаторе обе обмотки имеют одинаковую номинальную мощность, равную номинальной мощности трансформатора.
2 Для многообмоточного трансформатора половина суммы значений номинальных мощностей всех обмоток (раздельных обмоток без автотрансформаторного соединения) дает приблизительную оценку габаритных размеров многообмоточного трансформатора по сравнению с двухобмоточным трансформатором.
[ ГОСТ 30830-2002]EN
rated power
a conventional value of apparent power, establishing a basis for the design of a transformer, a shunt reactor or an arc-suppression coil, the manufacturer's guarantees and the tests, determining a value of the rated current that may be carried with rated voltage applied, under specified conditions
NOTE – Both windings of a two-winding transformer have the same rated power, which by definition is the rated power of the transformer. For multi-winding transformers the rated power for each of the windings may diffe
[IEV number 421-04-04]FR
puissance assignée
valeur conventionnelle de la puissance apparente, destinée à servir de base à la conception du transformateur, de la bobine d'inductance shunt ou de la bobine d'extinction d'arc, aux garanties du constructeur et aux essais, en déterminant une valeur de courant assigné admissible lorsque la tension assignée est appliquée, dans des conditions spécifiées
NOTE – Les deux enroulements d'un transformateur à deux enroulements ont la même puissance assignée, qui est par définition la puissance assignée du transformateur. Dans le cas de transformateurs à plus de deux enroulements, la puissance assignée de chacun des enroulements peut être différente
[IEV number 421-04-04]Тематики
Классификация
>>>EN
DE
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > puissance assignée
См. также в других словарях:
tension de base de temps — švytavimo įtampa statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. sweep voltage vok. Kippspannung, f; Wobbelspannung, f; Zeitablenkspannung, f rus. напряжение качания, n pranc. tension de base de temps, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Base Commune — Un amplificateur à base commune. En électronique, une base commune est un type d amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l électrode « base » du transistor est reliée à la … Wikipédia en Français
Tension (phonetique) — Tension (phonétique) Pour les articles homonymes, voir Tension. En phonétique articulatoire, la tension est un trait phonétique que l analyse traditionnelle lie au degré de tonus musculaire des organes phonateurs, et qui peut affecter la… … Wikipédia en Français
Tension consonantique — Tension (phonétique) Pour les articles homonymes, voir Tension. En phonétique articulatoire, la tension est un trait phonétique que l analyse traditionnelle lie au degré de tonus musculaire des organes phonateurs, et qui peut affecter la… … Wikipédia en Français
Tension vocalique — Tension (phonétique) Pour les articles homonymes, voir Tension. En phonétique articulatoire, la tension est un trait phonétique que l analyse traditionnelle lie au degré de tonus musculaire des organes phonateurs, et qui peut affecter la… … Wikipédia en Français
Base Militaire De Pyongtaek — Carte simplifié de la ville de Pyongtaek Pyeongtaek est une ville Sud Coréenne de 380 000 habitants (recensement de 2005) située à une centaine de kilomètres au sud de Séoul, à proximité de la mer Jaune, sur la côte occidentale de la Corée, face… … Wikipédia en Français
Base militaire de Pyongtaek — Carte simplifié de la ville de Pyongtaek Pyeongtaek est une ville Sud Coréenne de 380 000 habitants (recensement de 2005) située à une centaine de kilomètres au sud de Séoul, à proximité de la mer Jaune, sur la côte occidentale de la Corée, face… … Wikipédia en Français
Base militaire de pyongtaek — Carte simplifié de la ville de Pyongtaek Pyeongtaek est une ville Sud Coréenne de 380 000 habitants (recensement de 2005) située à une centaine de kilomètres au sud de Séoul, à proximité de la mer Jaune, sur la côte occidentale de la Corée, face… … Wikipédia en Français
Base Aérienne 279 Châteaudun — Lieutenant Beau Code AITA Code OACI LFOC Pays … Wikipédia en Français
Base aerienne 279 Chateaudun — Base aérienne 279 Châteaudun Base aérienne 279 Châteaudun Lieutenant Beau Code AITA Code OACI LFOC Pays … Wikipédia en Français
Base aérienne 279 Châteaudun "Lieutenant Beau" — Base aérienne 279 Châteaudun Base aérienne 279 Châteaudun Lieutenant Beau Code AITA Code OACI LFOC Pays … Wikipédia en Français